| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| Type | MOSFET |
| Configuration | Half Bridge Inverter |
| Current | 55 A |
| Voltage | 650 V |
| Voltage - Isolation | - |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Package / Case | 52-VQFN Exposed Pad |
关于 LMG3526R030RQST
LMG3526R030RQST 是由 德州仪器 制造的 电源驱动模块 类电子元器件。650-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Type: MOSFET、Configuration: Half Bridge Inverter、Current: 55 A、Voltage: 650 V、Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank。
LMG3526R030RQST 共有 7 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Package / Case（52-VQFN Exposed Pad） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 德州仪器：德州仪器公司（Texas Instruments Incorporated，简称TI）是一家全球领先的半导体设计和制造企业，专注于开发模拟集成电路和嵌入式处理器。通过汇聚全球最杰出的人才，TI不断创造出塑造科技未来的创新成果。TI正助力超过10万名客户在当下变革未来。
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德州仪器 电源驱动模块 产品 LMG3526R030RQST
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